（1）传输介质。
　　由于CWDM在1260～1 625 nm的范围内采用了等间隔的波长信道，因此，推荐的传输介质是无水峰的ITU－T的G.652C光纤。但是对于波长数量较少的情况，可以避开水峰，采用普通G.652光纤即可。
　　色散位移G.653光纤由于四波混频等非线性效应的影响，对于C波段的DWDM系统不适用。四波混频效应是影响C波段DWDM传输系统性能的主要因素，它主要与光功率密度、信道间隔和光纤的色散等 因素密切相关。光功率密度越大，信道间隔越小，光纤的非线性效应就越严重。

       DWDM通过增加光纤的有效传光面 积，以减小光功率密度；在工作波段保留一定量的色散，减小光纤的色散斜率，增加波长间隔等方法来减小四波 混频等非线性效应。但是对于CWDM系统，波长间隔超过20nm，并且传输距离相对较短，四波混频造成的信道串扰 影响要小得多。因此G.653光纤也是CWDM系统的可选传输介质。

（2）光源。
　   直接调制的无制冷分布反馈（Distributed Feedback Bragg，DFB）激光器，输出功率达到1mW，直接 调制速率可以达到2.5 Gb/s，在G.652光纤上传输距离能够超过80 km，是比较理想的CWDM光源。光源的线宽和波长信道间隔直接决定了CWDM和DWDM所采用的激光器的不同。

      波长信道间隔决定了光源容许的由于制作工艺、温度 特性及调制电流等造成的中心波长漂移范围。

      在DWDM系统中，由于工作波长较为密集，一般波长间隔只有几个纳米到零点几个纳米，因此要求用于系统使用的激光器波长必须精确，并具有良好的稳定性，要有与之相配套的波长检测与稳定技术。

      ITU－T的G.694.2建议CWDM光滤波器的保护带宽等于信道间隔的三分之一，因此对20.0nm间隔的信道，可用光滤波器的带宽不能超过13 nm，因此CWDM光源的中心波长漂移不超过6.5 nm即可。
其温度特性较DWDM方案的要求也相 对降低，在0～70℃范围内，波长漂移可以达到±4.2 nm。

      同DWDM技术采用的DFB光源相比，CWDM采用的无制冷DFB光源具有更大的优势，其封装体积小，可以达到0.5 cm ×0.5 cm×0.1 cm，单个封装好的激光器功耗为0.25W，电光转换效率达到0.4％。而DWDM的光源由于要求的波长漂移小，必须进行制冷，因此其体积和功耗相对较大，经过封装后的体积是没有制冷的DFB激光器的8倍，功耗达 到5 W，电光转换效率只有0.02％。

      因此，CWDM的激光器成本只有DWDM所采用的激光器成本的四分之一到五分之一 。

（3）接收器。
　　同DWDM光传输系统相比，在CWDM方案中，光电探测器的响应带宽要相对宽一些，要求能够覆盖整个的ITU CWDM方案的波长范围，由光电探测器前的光滤波器实现信道间的区分。

      宽带的PIN和APD 均可以作为光电探测器，PIN的价格低一些，APD则可以提供9～10 dB的增益。在接收器中对电路也要采用宽带跨阻放大器（Trans Impedance Amplifiers，TIA），以提高灵敏度。

（4）CWDM光复用/解复用器和光分插复用（OADM）。
      光复用器和解复用器都是WDM系统的重要组成部分，一般为无源器件。
      光复用器用于在传输系统的发送端，是一 种具有多个输入端口和一个输出端口的器件。每一个输入端输入一个预选波长的光信号，输入的不同 波长的光波由同一个输出端口输出。而光解复用器的作用与光复用器正好相反，它的作用是在传输系统的接收端 将对端设各发送过来的多个波长光信道分开。用于光复用/解复用器的光滤波器器件的性能优劣对系统传输质量有 决定性的影响。它们的主要性能指标是插入损耗和串扰。通常要求光滤波器的插入损耗低且单个通道的损耗偏差 小，通道内损耗平坦，通路间的隔离度高，偏振相关性好和温度稳定性好。

（5）光放大和再生。
　   通常在短距离传输系统中，传输距离小于2 km，一般不需要进行光放大。
在城域网范围内，为了扩大传输距离，需要进行光放大和再生，其原理和要求同WDM技术相似。

      可以是简单的单路幅度放大，也可以是 3R（Re－Amplifying，Re－Shaping，Re－Timing）再生，这就需要对所有的波长进行光功率平衡，并且要求带光放大器，如半导体光放大器（SOA）和拉曼光纤放大器。

      SOA是采用与激光器相类似的工艺而制成的一种行波放大器。当偏置电流低于振荡阈值时，激光二极管就能对输 入相干光实现光放大作用。

      由于半导体放大器具有体积小、结构简单、功耗低、寿命长、易于同其他光器件和电 路集成、适合批量生产、成本低和可实现增益兼开关等特点，因此在全光波长变换、光交换、谱反转、时钟提取 和解复用中的应用受到了广泛的重视，特别是应变量子阱材料的半导体光放大器的研制成功，更引起了人们对SOA 的广泛研究兴趣。

      由于半导体光放大器覆盖了1300～1600nm波段，既可用于1300nm窗口的光放大，也可用于1550nm窗口的光放大。